Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition
The results of a comprehensive study of growing a Ga1-yInyAs1-xBix quaternary alloy on a Si (001) substrate, determining the composition, studying structural properties, relaxation mechanisms and surface morphology are presented. Using pulsed laser deposition, epitaxial growth of the Ga1-yInyAs1-xBi...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Pashchenko, A. S., Пащенко, А. С., Devitsky, O. V., Девицкий, О. В. |
---|---|
التنسيق: | Статья |
اللغة: | English |
منشور في: |
Elsevier Ltd
2024
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/28667 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition
بواسطة: Pashchenko, A. S., وآخرون
منشور في: (2022) -
The effect of volumetric pulsed laser hardening of carbide cutting tools on the metal cutting efficiency
بواسطة: Pinakhin, I. A., وآخرون
منشور في: (2021) -
Calculation of the Schottky barrier and current–voltage characteristics of metal–alloy structures based on silicon carbide
بواسطة: Altukhov, V. I., وآخرون
منشور في: (2018) -
Calculation of the temperature behavior features of electrical conductivity in GeTe, SnTe and A(x-1) B(x) C semiconductors - Solutions of Tc near-structural phase transition
بواسطة: Sankin, A. V., وآخرون
منشور في: (2021) -
Investigation into strength T5K10 hard alloy after volumetric pulsed laser hardening (VPLH)
بواسطة: Pinakhin, I. A., وآخرون
منشور في: (2020)