Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition
The results of a comprehensive study of growing a Ga1-yInyAs1-xBix quaternary alloy on a Si (001) substrate, determining the composition, studying structural properties, relaxation mechanisms and surface morphology are presented. Using pulsed laser deposition, epitaxial growth of the Ga1-yInyAs1-xBi...
সংরক্ষণ করুন:
প্রধান লেখক: | Pashchenko, A. S., Пащенко, А. С., Devitsky, O. V., Девицкий, О. В. |
---|---|
বিন্যাস: | Статья |
ভাষা: | English |
প্রকাশিত: |
Elsevier Ltd
2024
|
বিষয়গুলি: | |
অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/28667 |
ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition
অনুযায়ী: Pashchenko, A. S., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2022) -
The effect of volumetric pulsed laser hardening of carbide cutting tools on the metal cutting efficiency
অনুযায়ী: Pinakhin, I. A., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2021) -
Calculation of the Schottky barrier and current–voltage characteristics of metal–alloy structures based on silicon carbide
অনুযায়ী: Altukhov, V. I., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2018) -
Calculation of the temperature behavior features of electrical conductivity in GeTe, SnTe and A(x-1) B(x) C semiconductors - Solutions of Tc near-structural phase transition
অনুযায়ী: Sankin, A. V., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2021) -
Investigation into strength T5K10 hard alloy after volumetric pulsed laser hardening (VPLH)
অনুযায়ী: Pinakhin, I. A., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2020)