Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition
The results of a comprehensive study of growing a Ga1-yInyAs1-xBix quaternary alloy on a Si (001) substrate, determining the composition, studying structural properties, relaxation mechanisms and surface morphology are presented. Using pulsed laser deposition, epitaxial growth of the Ga1-yInyAs1-xBi...
Збережено в:
Автори: | Pashchenko, A. S., Пащенко, А. С., Devitsky, O. V., Девицкий, О. В. |
---|---|
Формат: | Статья |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Elsevier Ltd
2024
|
Предмети: | |
Онлайн доступ: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/28667 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Схожі ресурси
-
Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition
за авторством: Pashchenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2022) -
The effect of volumetric pulsed laser hardening of carbide cutting tools on the metal cutting efficiency
за авторством: Pinakhin, I. A., та інші
Опубліковано: (2021) -
Calculation of the Schottky barrier and current–voltage characteristics of metal–alloy structures based on silicon carbide
за авторством: Altukhov, V. I., та інші
Опубліковано: (2018) -
Calculation of the temperature behavior features of electrical conductivity in GeTe, SnTe and A(x-1) B(x) C semiconductors - Solutions of Tc near-structural phase transition
за авторством: Sankin, A. V., та інші
Опубліковано: (2021) -
Investigation into strength T5K10 hard alloy after volumetric pulsed laser hardening (VPLH)
за авторством: Pinakhin, I. A., та інші
Опубліковано: (2020)