इसे छोड़कर सामग्री पर बढ़ने के लिए
INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER

INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER

В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...

पूर्ण विवरण

में बचाया:
ग्रंथसूची विवरण
मुख्य लेखकों: Lapin, V. A., Лапин, В. А., Kravtsov, A. A., Кравцов, А. А., Kuleshov, D. S., Кулешов, Д. С., Malyavin, F. F., Малявин, Ф. Ф.
स्वरूप: Статья
भाषा:Russian
प्रकाशित: Tver State University 2024
विषय:
Heteroepitaxy
Buffer layer
Molecular beam epitaxy
Misfit dislocations
Defect annihilation
ऑनलाइन पहुंच:https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291
टैग : टैग जोड़ें
कोई टैग नहीं, इस रिकॉर्ड को टैग करने वाले पहले व्यक्ति बनें!

इंटरनेट

https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291

समान संसाधन