INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER

В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...

সম্পূর্ণ বিবরণ

সংরক্ষণ করুন:

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক:	Lapin, V. A., Лапин, В. А., Kravtsov, A. A., Кравцов, А. А., Kuleshov, D. S., Кулешов, Д. С., Malyavin, F. F., Малявин, Ф. Ф.
বিন্যাস:	Статья
ভাষা:	Russian
প্রকাশিত:	Tver State University 2024
বিষয়গুলি:	Heteroepitaxy Buffer layer Molecular beam epitaxy Misfit dislocations Defect annihilation
অনলাইন ব্যবহার করুন:	https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291
ট্যাগগুলো:	ট্যাগ যুক্ত করুন কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!

id	ir-123456789-29291
record_format	dspace
spelling	ir-123456789-292912024-11-29T08:42:22Z INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER Lapin, V. A. Лапин, В. А. Kravtsov, A. A. Кравцов, А. А. Kuleshov, D. S. Кулешов, Д. С. Malyavin, F. F. Малявин, Ф. Ф. Heteroepitaxy Buffer layer Molecular beam epitaxy Misfit dislocations Defect annihilation В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислокаций несоответствия в объеме буферного слоя Buf, что значительно улучшает приборное качество получаемых структур. Представлена зависимость морфологии поверхности слоя чистого Ge на буфере от времени роста наноостровков в интерфейсе Si /Buf . Выявлены оптимальные технологические параметры роста наноостровков для получения слоя Ge с минимальной значением шероховатости. Наилучших результатов удалось достичь при времени осаждения наноостровков 2 мин. При этом была достигнута минимальное значение шероховатости поверхности, равное 78 нм. Показано, что при дальнейшем увеличении размеров наноостровков, процесс аннигиляции дефектов замедляется, и рост низкотемпературного буферного слоя сменяется трехмерным островковым ростом, что увеличивает перепады рельефа поверхности выращиваемого слоя. 2024-11-29T08:40:36Z 2024-11-29T08:40:36Z 2021 Статья Lapin, V. A.; Kravtsov, A. A.; Kuleshov, D. S.; Malyavin, F. F. INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER // PHYSICAL AND CHEMICAL ASPECTS OF THE STUDY OF CLUSTERS NANOSTRUCTURES AND NANOMATERIALS. - 2021. - 13. - рр. 263-271. - DOI: 10.26456/pcascnn/2021.13.263 https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 ru PHYSICAL AND CHEMICAL ASPECTS OF THE STUDY OF CLUSTERS NANOSTRUCTURES AND NANOMATERIALS application/pdf Tver State University
institution	СКФУ
collection	Репозиторий
language	Russian
topic	Heteroepitaxy Buffer layer Molecular beam epitaxy Misfit dislocations Defect annihilation
spellingShingle	Heteroepitaxy Buffer layer Molecular beam epitaxy Misfit dislocations Defect annihilation Lapin, V. A. Лапин, В. А. Kravtsov, A. A. Кравцов, А. А. Kuleshov, D. S. Кулешов, Д. С. Malyavin, F. F. Малявин, Ф. Ф. INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
description	В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислокаций несоответствия в объеме буферного слоя Buf, что значительно улучшает приборное качество получаемых структур. Представлена зависимость морфологии поверхности слоя чистого Ge на буфере от времени роста наноостровков в интерфейсе Si /Buf . Выявлены оптимальные технологические параметры роста наноостровков для получения слоя Ge с минимальной значением шероховатости. Наилучших результатов удалось достичь при времени осаждения наноостровков 2 мин. При этом была достигнута минимальное значение шероховатости поверхности, равное 78 нм. Показано, что при дальнейшем увеличении размеров наноостровков, процесс аннигиляции дефектов замедляется, и рост низкотемпературного буферного слоя сменяется трехмерным островковым ростом, что увеличивает перепады рельефа поверхности выращиваемого слоя.
format	Статья
author	Lapin, V. A. Лапин, В. А. Kravtsov, A. A. Кравцов, А. А. Kuleshov, D. S. Кулешов, Д. С. Malyavin, F. F. Малявин, Ф. Ф.
author_facet	Lapin, V. A. Лапин, В. А. Kravtsov, A. A. Кравцов, А. А. Kuleshov, D. S. Кулешов, Д. С. Malyavin, F. F. Малявин, Ф. Ф.
author_sort	Lapin, V. A.
title	INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
title_short	INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
title_full	INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
title_fullStr	INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
title_full_unstemmed	INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
title_sort	investigation of possibility of the misfit dislocation density reduction in ge/si films with a buffer layer
publisher	Tver State University
publishDate	2024
url	https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291
work_keys_str_mv	AT lapinva investigationofpossibilityofthemisfitdislocationdensityreductioningesifilmswithabufferlayer AT lapinva investigationofpossibilityofthemisfitdislocationdensityreductioningesifilmswithabufferlayer AT kravtsovaa investigationofpossibilityofthemisfitdislocationdensityreductioningesifilmswithabufferlayer AT kravcovaa investigationofpossibilityofthemisfitdislocationdensityreductioningesifilmswithabufferlayer AT kuleshovds investigationofpossibilityofthemisfitdislocationdensityreductioningesifilmswithabufferlayer AT kulešovds investigationofpossibilityofthemisfitdislocationdensityreductioningesifilmswithabufferlayer AT malyavinff investigationofpossibilityofthemisfitdislocationdensityreductioningesifilmswithabufferlayer AT malâvinff investigationofpossibilityofthemisfitdislocationdensityreductioningesifilmswithabufferlayer
_version_	1842245934364229632

INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER

অনুরূপ উপাদানগুলি