Siirry sisältöön
INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER

INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER

В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...

Täydet tiedot

Tallennettuna:
Bibliografiset tiedot
Päätekijät: Lapin, V. A., Лапин, В. А., Kravtsov, A. A., Кравцов, А. А., Kuleshov, D. S., Кулешов, Д. С., Malyavin, F. F., Малявин, Ф. Ф.
Aineistotyyppi: Статья
Kieli:Russian
Julkaistu: Tver State University 2024
Aiheet:
Heteroepitaxy
Buffer layer
Molecular beam epitaxy
Misfit dislocations
Defect annihilation
Linkit:https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291
Tagit: Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!

Samankaltaisia teoksia

Samankaltaisia teoksia