INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...
Guardat en:
| Autors principals: | , , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Статья |
| Idioma: | Russian |
| Publicat: |
Tver State University
2024
|
| Matèries: | |
| Accés en línia: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 |
| Etiquetes: |
Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!
|