INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...
Wedi'i Gadw mewn:
| Prif Awduron: | , , , , , , , |
|---|---|
| Fformat: | Статья |
| Iaith: | Russian |
| Cyhoeddwyd: |
Tver State University
2024
|
| Pynciau: | |
| Mynediad Ar-lein: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 |
| Tagiau: |
Ychwanegu Tag
Dim Tagiau, Byddwch y cyntaf i dagio'r cofnod hwn!
|