INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...
Сохранить в:
| Главные авторы: | , , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Статья |
| Sprog: | Russian |
| Udgivet: |
Tver State University
2024
|
| Fag: | |
| Online adgang: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 |
| Tags: |
Tilføj Tag
Ingen Tags, Vær først til at tagge denne postø!
|