INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριοι συγγραφείς: | , , , , , , , |
|---|---|
| Μορφή: | Статья |
| Γλώσσα: | Russian |
| Έκδοση: |
Tver State University
2024
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|