INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...
Saved in:
| Main Authors: | , , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Статья |
| Language: | Russian |
| Published: |
Tver State University
2024
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|