INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...
Sábháilte in:
| Príomhchruthaitheoirí: | , , , , , , , |
|---|---|
| Formáid: | Статья |
| Teanga: | Russian |
| Foilsithe / Cruthaithe: |
Tver State University
2024
|
| Ábhair: | |
| Rochtain ar líne: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 |
| Clibeanna: |
Cuir clib leis
Níl clibeanna ann, Bí ar an gcéad duine le clib a chur leis an taifead seo!
|