INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...
שמור ב:
| Главные авторы: | , , , , , , , |
|---|---|
| פורמט: | Статья |
| שפה: | Russian |
| יצא לאור: |
Tver State University
2024
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|