INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...
保存先:
| 主要な著者: | , , , , , , , |
|---|---|
| フォーマット: | Статья |
| 言語: | Russian |
| 出版事項: |
Tver State University
2024
|
| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 |
| タグ: |
タグ追加
タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!
|