INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...
Shranjeno v:
| Главные авторы: | , , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Статья |
| Jezik: | Russian |
| Izdano: |
Tver State University
2024
|
| Teme: | |
| Online dostop: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 |
| Oznake: |
Označite
Brez oznak, prvi označite!
|