INVESTIGATION OF POSSIBILITY OF THE MISFIT DISLOCATION DENSITY REDUCTION IN GE/SI FILMS WITH A BUFFER LAYER
В работе исследована возможность улучшения качества гетероэпитаксиальных структур Ge/Si с буферным слоем. Показано, что при использовании подготовительного слоя, состоящего из наноостровков, зарощенных низкотемпературным буферным слоем, возможно проявление так называемого эффекта аннигиляции дислок...
Збережено в:
| Автори: | , , , , , , , |
|---|---|
| Формат: | Статья |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Tver State University
2024
|
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | https://dspace.ncfu.ru/handle/123456789/29291 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|