Chuyển đến nội dung

Resonant-frequency properties of low-dimensional junction of semiconductor-metal-semiconductor and calculation methodology

The article describes frequency characteristics of semiconductor-metal-semiconductor Si-Ag-Si structures (ohmic contacts) having metal nanolayers as well as features of resonance phenomenon and sandwich structure energy interaction. Mathematical simulation of mentioned above processes is provided. T...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Valyukhov, D. P., Валюхов, Д. П., Baklanov, I. S., Бакланов, И. С., Shtab, E. V., Штаб, Э. В., Shtab, A. V., Штаб, А. В., Pigulev, R. V., Пигулев, Р. В., Iliasov, A. S., Ильясов, А. Ш.
Định dạng: Статья
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: Institute of Physics Publishing 2020
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85077954308&origin=resultslist&sort=plf-f&src=s&st1=Resonant-frequency+properties+of+low-dimensional+junction+of+semiconductor-metal-semiconductor+and+calculation+methodology&st2=&sid=06bfe297a5d6aa23ab9ecf239eeb9ff0&sot=b&sdt=b&sl=137&s=TITLE-ABS-KEY%28Resonant-frequency+properties+of+low-dimensional+junction+of+semiconductor-metal-semiconductor+and+calculation+methodology%29&relpos=0&citeCnt=0&searchTerm=
https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/11217
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!