Přeskočit na obsah
Citace podle APA (7th ed.)

Altukhov, V. I., Алтухов, В. И., Sankin, A. V., Санкин, А. В., Antonov, V. F., Антонов, В. Ф., . . . Митюгова, О. А. (2020). Schotky barrier height and calculation of voltage–current characteristics of Al/n-(SiC)1–x(AlN)x diodes And 4H–SiC heterojunctions. Springer.

Citace podle Chicago (17th ed.)

Altukhov, V. I., et al. Schotky Barrier Height and Calculation of Voltage–current Characteristics of Al/n-(SiC)1–x(AlN)x Diodes And 4H–SiC Heterojunctions. Springer, 2020.

Citace podle MLA (8th ed.)

Altukhov, V. I., et al. Schotky Barrier Height and Calculation of Voltage–current Characteristics of Al/n-(SiC)1–x(AlN)x Diodes And 4H–SiC Heterojunctions. Springer, 2020.

Upozornění: Tyto citace jsou generovány automaticky. Nemusí být zcela správně podle citačních pravidel..