Անցեք բովանդակությանը
Ion-beam deposition of thin AlN films on Al2O3 substrate

Ion-beam deposition of thin AlN films on Al2O3 substrate

Thin aluminum nitride (AlN) films on sapphire (Al2O3) substrates were grown by means of ion-beam deposition (IBD) and studied by methods of scanning electron microscopy, Raman scattering, and optical transmission spectroscopy. Results revealed the influence of IBD process parameters (gas mixture com...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Devitsky, O. V., Девицкий, О. В., Sysoev, I. A., Сысоев, И. А., Kasyanov, I. V., Касьянов, И. В., Nikulin, D. A., Никулин, Д. А.
Ձևաչափ: Статья
Լեզու:English
Հրապարակվել է: MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER 2020
Խորագրեր:
Ion-beam deposition
Gallium nitride
Sapphire
Aluminum nitride
Wide-bandgap semiconductors
Առցանց հասանելիություն:http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=WOS&search_mode=GeneralSearch&qid=17&SID=E1foOAlVMmMF3jxHUZa&page=1&doc=1
https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/11480
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Համացանց

http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=WOS&search_mode=GeneralSearch&qid=17&SID=E1foOAlVMmMF3jxHUZa&page=1&doc=1
https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/11480

Նմանատիպ նյութեր