Obtaining SiC single crystals, and comparing characteristics of its solid solutions, films, Schottky diodes
The main methods for producing 4H-SiC single crystals and films of its solid solutions are considered. A new technique for producing single crystals of SiC polytypes is described. A new nonlinear model of the Schottky barrier height (BS) has been developed, and the current-voltage characteristics of...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Статья |
| ভাষা: | English |
| প্রকাশিত: |
IOP Publishing Ltd
2020
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/14301 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|