Przejdź do treści

Photo-, cathodic- And electroluminescence-band models in solid (SiC)1-x(AIN)xluminescence centers and SiC/SiC-AIN LEDs

The paper presents models of bands (levels) in solid (SiC)1-x(AlN)x luminescence centers and n-SiC/p-(SiC)1-x(AlN)x heterostructures (light-emitting diodes). The diagram of (SiC)1-x(AlN)x energy gaps shows the positions of luminescence levels, subject to x. A SiC/SiC-AlN series of electroluminescenc...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Główni autorzy: Sankin, A. V., Санкин, А. В., Altukhov, V. I., Алтухов, В. И.
Format: Статья
Język:English
Wydane: IOP Publishing Ltd 2021
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/15488
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!