Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition

Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition

GaInAsP solid solutions are synthesized on GaAs substrates by pulsed laser deposition and the effect of the laser fluence on the morphology and structure of the films is studied. It is found that the surface of the films is textured with In microdroplets. It is established that an increase in the la...

תיאור מלא

שמור ב:

מידע ביבליוגרפי
Главные авторы:	Pashchenko, A. S., Пащенко, А. С., Devitsky, O. V., Девицкий, О. В., Lunin, L. S., Лунин, Л. С., Kasyanov, I. V., Касьянов, И. В., Nikulin, D. A., Никулин, Д. А.
פורמט:	Статья
שפה:	English
יצא לאור:	Elsevier B.V. 2022
נושאים:	Semiconducting quaternary alloys Solid solutions III–V compounds X-ray diffraction Heterostructures Pulsed laser deposition
גישה מקוונת:	https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/18561
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים

Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition
מאת: Pashchenko, A. S., и др.
יצא לאור: (2024)

Ion-beam crystallization of inGaAs island nanostructures on GaAs substrates
מאת: Sysoev, I. A., и др.
יצא לאור: (2019)

Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition
מאת: Pashchenko, A. S., и др.
יצא לאור: (2023)

Pulsed laser deposition of AlxGa1–xAs and GaP thin films onto Si substrates for photoelectric converters
מאת: Devitsky, O. V., и др.
יצא לאור: (2018)

The Study of GaInAsP/InP Heterostructures with an Array of InAs Nanoislands
מאת: Lunin, L. S., и др.
יצא לאור: (2022)

Study of the composition of GaAs1-yBiy films obtained by pulsed laser deposition
מאת: Devitsky, O. V., и др.
יצא לאור: (2022)

STRUCTURE AND COMPOSITION OF THIN GaAs1-x-yNxBiy FILMS PRODUCED BY PULSED LASER DEPOSITION
מאת: Devitsky, O. V., и др.
יצא לאור: (2023)

Influence of magnetron sputtering conditions on the structure and surface morphology of InxGa1–xAs thin films on a GaAs (100) substrate
מאת: Devitsky, O. V., и др.
יצא לאור: (2023)

Peculiarities of pulsed laser deposition of thin InGaAsN films in an active background gas atmosphere
מאת: Devitsky, O. V., и др.
יצא לאור: (2023)

Peculiarities of growing Ga1–xInxAs solid solutions on GaAs substrates in the field of a temperature gradient through a thin gas zone
מאת: Devitsky, O. V., и др.
יצא לאור: (2023)

Pulsed laser deposition of gallium nitride thin films on sapphire substrates
מאת: Devitsky, O. V., и др.
יצא לאור: (2021)

Pulsed laser deposition of aluminum nitride thin films onto sapphire substrates
מאת: Devitsky, O. V., и др.
יצא לאור: (2020)

Calculation of the temperature behavior features of electrical conductivity in GeTe, SnTe and A(x-1) B(x) C semiconductors - Solutions of Tc near-structural phase transition
מאת: Sankin, A. V., и др.
יצא לאור: (2021)

Effect of nitrogen pressure on the composition and structure of thin films GaAs1 - x - yNxBiy
מאת: Devitsky, O. V., и др.
יצא לאור: (2024)

EFFECT OF BISMUTH CONTENT ON THE STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF GaAs1-yBiy: FIRST PRINCIPLES CALCULATIONS
מאת: Devitsky, O. V., и др.
יצא לאור: (2024)

Domino reactions of 1-substituted N-(cyanomethyl)isoquinolinium salts with salicylic aldehydes
מאת: Aksenov, A. V., и др.
יצא לאור: (2018)

Effect of the Ag nanoparticle concentration in TiO2–Ag functional coatings on the characteristics of GaInP/GaAs/Ge photoconverters
מאת: Kravtsov, A. A., и др.
יצא לאור: (2018)

Influence of argon pressure on the surface morphology of thin InGaAsP/Si films
מאת: Devitsky, O. V., и др.
יצא לאור: (2022)

Thin SiС and gan-based films and structures: production and properties
מאת: Sankin, A. V., и др.
יצא לאור: (2022)

THE GROWTH OF INALN/ SI HETEROSTRUCTURES WITH A HIGH CONTENT OF IN
מאת: Lapin, V. A., и др.
יצא לאור: (2023)

Calculation and analysis of the features temperature behavior of the electrical conductivity semiconductors GeTe and SnTe near structural phase transition TC
מאת: Sankin, A. V., и др.
יצא לאור: (2020)

The effect of the transformation of point defects under Joule heating on efficiency of LEDs with InGaN/GaN quantum wells
מאת: Tarala, V. A., и др.
יצא לאור: (2018)

Synthesis of selenium nanoparticles stabilized by quaternary ammonium compounds
מאת: Blinov, A. V., и др.
יצא לאור: (2022)

Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
מאת: Тихов С. В.
יצא לאור: (2010)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
מאת: Дорохин М. В.
יצא לאור: (2013)

Исследование полосы преобразования терагерцовых смесителей на эффекте электронного разогрева в NbZr, NbN и в одиночном гетеропереходе AlGaAs/GaAs монография
מאת: Смирнов, А. В.

Growing c-axis oriented aluminum nitride films by plasma-enhanced atomic layer deposition at low temperatures
מאת: Tarala, V. A., и др.
יצא לאור: (2018)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
מאת: Тяжлов В. С.
יצא לאור: (2019)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
מאת: Тяжлов, В. С.

PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property
מאת: Sysoev, I. A., и др.
יצא לאור: (2022)

COMPUTER QUANTUM-CHEMICAL MODELING OF THE INTERACTION OF SELENIUM NANOPARTICLES WITH QUATERNARY AMMONIUM COMPOUNDS
מאת: Blinov, A. V., и др.
יצא לאור: (2024)

Resonant-frequency properties of low-dimensional junction of semiconductor-metal-semiconductor and calculation methodology
מאת: Valyukhov, D. P., и др.
יצא לאור: (2020)

Extreme environment wideband, high-efficiency photovoltaics based on new physical principles and hyperfast LPE GaAs power electronics
מאת: Saytiev, A. B., и др.
יצא לאור: (2019)

Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами Статья
מאת: Крылов П.Н

Разработка технологии получения наноразмерного ZnO легированного Ga
מאת: Жалыбина, Е. Г.
יצא לאור: (2019)

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
יצא לאור: (2001)

Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе Монография
מאת: Чулкова Г.М

Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе монография

Ion-beam deposition of thin AlN films on Al2O3 substrate
מאת: Devitsky, O. V., и др.
יצא לאור: (2020)

Influence of indium concentration on the structure and surface morphology of InGaAs films obtained by liquid-phase epitaxy
מאת: Mitrofanov, D. V., и др.
יצא לאור: (2022)