Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition

Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition

GaInAsP solid solutions are synthesized on GaAs substrates by pulsed laser deposition and the effect of the laser fluence on the morphology and structure of the films is studied. It is found that the surface of the films is textured with In microdroplets. It is established that an increase in the la...

保存先:

書誌詳細
主要な著者:	Pashchenko, A. S., Пащенко, А. С., Devitsky, O. V., Девицкий, О. В., Lunin, L. S., Лунин, Л. С., Kasyanov, I. V., Касьянов, И. В., Nikulin, D. A., Никулин, Д. А.
フォーマット:	Статья
言語:	English
出版事項:	Elsevier B.V. 2022
主題:	Semiconducting quaternary alloys Solid solutions III–V compounds X-ray diffraction Heterostructures Pulsed laser deposition
オンライン･アクセス:	https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/18561
タグ:	タグ追加タグなし, このレコードへの初めてのタグを付けませんか!

類似資料

Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition
著者:: Pashchenko, A. S., 等
出版事項: (2024)

Ion-beam crystallization of inGaAs island nanostructures on GaAs substrates
著者:: Sysoev, I. A., 等
出版事項: (2019)

Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition
著者:: Pashchenko, A. S., 等
出版事項: (2023)

Pulsed laser deposition of AlxGa1–xAs and GaP thin films onto Si substrates for photoelectric converters
著者:: Devitsky, O. V., 等
出版事項: (2018)

The Study of GaInAsP/InP Heterostructures with an Array of InAs Nanoislands
著者:: Lunin, L. S., 等
出版事項: (2022)

Study of the composition of GaAs1-yBiy films obtained by pulsed laser deposition
著者:: Devitsky, O. V., 等
出版事項: (2022)

STRUCTURE AND COMPOSITION OF THIN GaAs1-x-yNxBiy FILMS PRODUCED BY PULSED LASER DEPOSITION
著者:: Devitsky, O. V., 等
出版事項: (2023)

Influence of magnetron sputtering conditions on the structure and surface morphology of InxGa1–xAs thin films on a GaAs (100) substrate
著者:: Devitsky, O. V., 等
出版事項: (2023)

Peculiarities of pulsed laser deposition of thin InGaAsN films in an active background gas atmosphere
著者:: Devitsky, O. V., 等
出版事項: (2023)

Peculiarities of growing Ga1–xInxAs solid solutions on GaAs substrates in the field of a temperature gradient through a thin gas zone
著者:: Devitsky, O. V., 等
出版事項: (2023)

Pulsed laser deposition of gallium nitride thin films on sapphire substrates
著者:: Devitsky, O. V., 等
出版事項: (2021)

Pulsed laser deposition of aluminum nitride thin films onto sapphire substrates
著者:: Devitsky, O. V., 等
出版事項: (2020)

Calculation of the temperature behavior features of electrical conductivity in GeTe, SnTe and A(x-1) B(x) C semiconductors - Solutions of Tc near-structural phase transition
著者:: Sankin, A. V., 等
出版事項: (2021)

Effect of nitrogen pressure on the composition and structure of thin films GaAs1 - x - yNxBiy
著者:: Devitsky, O. V., 等
出版事項: (2024)

EFFECT OF BISMUTH CONTENT ON THE STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF GaAs1-yBiy: FIRST PRINCIPLES CALCULATIONS
著者:: Devitsky, O. V., 等
出版事項: (2024)

Domino reactions of 1-substituted N-(cyanomethyl)isoquinolinium salts with salicylic aldehydes
著者:: Aksenov, A. V., 等
出版事項: (2018)

Effect of the Ag nanoparticle concentration in TiO2–Ag functional coatings on the characteristics of GaInP/GaAs/Ge photoconverters
著者:: Kravtsov, A. A., 等
出版事項: (2018)

Influence of argon pressure on the surface morphology of thin InGaAsP/Si films
著者:: Devitsky, O. V., 等
出版事項: (2022)

Thin SiС and gan-based films and structures: production and properties
著者:: Sankin, A. V., 等
出版事項: (2022)

THE GROWTH OF INALN/ SI HETEROSTRUCTURES WITH A HIGH CONTENT OF IN
著者:: Lapin, V. A., 等
出版事項: (2023)

Calculation and analysis of the features temperature behavior of the electrical conductivity semiconductors GeTe and SnTe near structural phase transition TC
著者:: Sankin, A. V., 等
出版事項: (2020)

The effect of the transformation of point defects under Joule heating on efficiency of LEDs with InGaN/GaN quantum wells
著者:: Tarala, V. A., 等
出版事項: (2018)

Synthesis of selenium nanoparticles stabilized by quaternary ammonium compounds
著者:: Blinov, A. V., 等
出版事項: (2022)

Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
著者:: Тихов С. В.
出版事項: (2010)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
著者:: Дорохин М. В.
出版事項: (2013)

Исследование полосы преобразования терагерцовых смесителей на эффекте электронного разогрева в NbZr, NbN и в одиночном гетеропереходе AlGaAs/GaAs монография
著者:: Смирнов, А. В.

Growing c-axis oriented aluminum nitride films by plasma-enhanced atomic layer deposition at low temperatures
著者:: Tarala, V. A., 等
出版事項: (2018)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
著者:: Тяжлов В. С.
出版事項: (2019)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
著者:: Тяжлов, В. С.

PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property
著者:: Sysoev, I. A., 等
出版事項: (2022)

COMPUTER QUANTUM-CHEMICAL MODELING OF THE INTERACTION OF SELENIUM NANOPARTICLES WITH QUATERNARY AMMONIUM COMPOUNDS
著者:: Blinov, A. V., 等
出版事項: (2024)

Resonant-frequency properties of low-dimensional junction of semiconductor-metal-semiconductor and calculation methodology
著者:: Valyukhov, D. P., 等
出版事項: (2020)

Extreme environment wideband, high-efficiency photovoltaics based on new physical principles and hyperfast LPE GaAs power electronics
著者:: Saytiev, A. B., 等
出版事項: (2019)

Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами Статья
著者:: Крылов П.Н

Разработка технологии получения наноразмерного ZnO легированного Ga
著者:: Жалыбина, Е. Г.
出版事項: (2019)

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
出版事項: (2001)

Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе Монография
著者:: Чулкова Г.М

Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе монография

Ion-beam deposition of thin AlN films on Al2O3 substrate
著者:: Devitsky, O. V., 等
出版事項: (2020)

Influence of indium concentration on the structure and surface morphology of InGaAs films obtained by liquid-phase epitaxy
著者:: Mitrofanov, D. V., 等
出版事項: (2022)