Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition

Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition

GaInAsP solid solutions are synthesized on GaAs substrates by pulsed laser deposition and the effect of the laser fluence on the morphology and structure of the films is studied. It is found that the surface of the films is textured with In microdroplets. It is established that an increase in the la...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Автори:	Pashchenko, A. S., Пащенко, А. С., Devitsky, O. V., Девицкий, О. В., Lunin, L. S., Лунин, Л. С., Kasyanov, I. V., Касьянов, И. В., Nikulin, D. A., Никулин, Д. А.
Формат:	Статья
Мова:	English
Опубліковано:	Elsevier B.V. 2022
Предмети:	Semiconducting quaternary alloys Solid solutions III–V compounds X-ray diffraction Heterostructures Pulsed laser deposition
Онлайн доступ:	https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/18561
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!

Схожі ресурси

Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition
за авторством: Pashchenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2024)

Ion-beam crystallization of inGaAs island nanostructures on GaAs substrates
за авторством: Sysoev, I. A., та інші
Опубліковано: (2019)

Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition
за авторством: Pashchenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2023)

Pulsed laser deposition of AlxGa1–xAs and GaP thin films onto Si substrates for photoelectric converters
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2018)

The Study of GaInAsP/InP Heterostructures with an Array of InAs Nanoislands
за авторством: Lunin, L. S., та інші
Опубліковано: (2022)

Study of the composition of GaAs1-yBiy films obtained by pulsed laser deposition
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2022)

STRUCTURE AND COMPOSITION OF THIN GaAs1-x-yNxBiy FILMS PRODUCED BY PULSED LASER DEPOSITION
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2023)

Influence of magnetron sputtering conditions on the structure and surface morphology of InxGa1–xAs thin films on a GaAs (100) substrate
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2023)

Peculiarities of pulsed laser deposition of thin InGaAsN films in an active background gas atmosphere
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2023)

Peculiarities of growing Ga1–xInxAs solid solutions on GaAs substrates in the field of a temperature gradient through a thin gas zone
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2023)

Pulsed laser deposition of gallium nitride thin films on sapphire substrates
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2021)

Pulsed laser deposition of aluminum nitride thin films onto sapphire substrates
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2020)

Calculation of the temperature behavior features of electrical conductivity in GeTe, SnTe and A(x-1) B(x) C semiconductors - Solutions of Tc near-structural phase transition
за авторством: Sankin, A. V., та інші
Опубліковано: (2021)

Effect of nitrogen pressure on the composition and structure of thin films GaAs1 - x - yNxBiy
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2024)

EFFECT OF BISMUTH CONTENT ON THE STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF GaAs1-yBiy: FIRST PRINCIPLES CALCULATIONS
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2024)

Domino reactions of 1-substituted N-(cyanomethyl)isoquinolinium salts with salicylic aldehydes
за авторством: Aksenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of the Ag nanoparticle concentration in TiO2–Ag functional coatings on the characteristics of GaInP/GaAs/Ge photoconverters
за авторством: Kravtsov, A. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of argon pressure on the surface morphology of thin InGaAsP/Si films
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2022)

Thin SiС and gan-based films and structures: production and properties
за авторством: Sankin, A. V., та інші
Опубліковано: (2022)

THE GROWTH OF INALN/ SI HETEROSTRUCTURES WITH A HIGH CONTENT OF IN
за авторством: Lapin, V. A., та інші
Опубліковано: (2023)

Calculation and analysis of the features temperature behavior of the electrical conductivity semiconductors GeTe and SnTe near structural phase transition TC
за авторством: Sankin, A. V., та інші
Опубліковано: (2020)

The effect of the transformation of point defects under Joule heating on efficiency of LEDs with InGaN/GaN quantum wells
за авторством: Tarala, V. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Synthesis of selenium nanoparticles stabilized by quaternary ammonium compounds
за авторством: Blinov, A. V., та інші
Опубліковано: (2022)

Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
за авторством: Тихов С. В.
Опубліковано: (2010)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
за авторством: Дорохин М. В.
Опубліковано: (2013)

Исследование полосы преобразования терагерцовых смесителей на эффекте электронного разогрева в NbZr, NbN и в одиночном гетеропереходе AlGaAs/GaAs монография
за авторством: Смирнов, А. В.

Growing c-axis oriented aluminum nitride films by plasma-enhanced atomic layer deposition at low temperatures
за авторством: Tarala, V. A., та інші
Опубліковано: (2018)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
за авторством: Тяжлов В. С.
Опубліковано: (2019)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
за авторством: Тяжлов, В. С.

PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property
за авторством: Sysoev, I. A., та інші
Опубліковано: (2022)

COMPUTER QUANTUM-CHEMICAL MODELING OF THE INTERACTION OF SELENIUM NANOPARTICLES WITH QUATERNARY AMMONIUM COMPOUNDS
за авторством: Blinov, A. V., та інші
Опубліковано: (2024)

Resonant-frequency properties of low-dimensional junction of semiconductor-metal-semiconductor and calculation methodology
за авторством: Valyukhov, D. P., та інші
Опубліковано: (2020)

Extreme environment wideband, high-efficiency photovoltaics based on new physical principles and hyperfast LPE GaAs power electronics
за авторством: Saytiev, A. B., та інші
Опубліковано: (2019)

Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами Статья
за авторством: Крылов П.Н

Разработка технологии получения наноразмерного ZnO легированного Ga
за авторством: Жалыбина, Е. Г.
Опубліковано: (2019)

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
Опубліковано: (2001)

Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе Монография
за авторством: Чулкова Г.М

Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе монография

Ion-beam deposition of thin AlN films on Al2O3 substrate
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of indium concentration on the structure and surface morphology of InGaAs films obtained by liquid-phase epitaxy
за авторством: Mitrofanov, D. V., та інші
Опубліковано: (2022)