Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition

Structure and morphology of GaInAsP solid solutions on GaAs substrates grown by pulsed laser deposition

GaInAsP solid solutions are synthesized on GaAs substrates by pulsed laser deposition and the effect of the laser fluence on the morphology and structure of the films is studied. It is found that the surface of the films is textured with In microdroplets. It is established that an increase in the la...

Сохранить в:

書目詳細資料
Главные авторы:	Pashchenko, A. S., Пащенко, А. С., Devitsky, O. V., Девицкий, О. В., Lunin, L. S., Лунин, Л. С., Kasyanov, I. V., Касьянов, И. В., Nikulin, D. A., Никулин, Д. А.
格式:	Статья
語言:	English
出版:	Elsevier B.V. 2022
主題:	Semiconducting quaternary alloys Solid solutions III–V compounds X-ray diffraction Heterostructures Pulsed laser deposition
在線閱讀:	https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/18561
標簽:	添加標簽沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!

相似書籍

Epitaxial growth of GaInAsBi thin films on Si (001) substrate using pulsed laser deposition
由: Pashchenko, A. S., и др.
出版: (2024)

Ion-beam crystallization of inGaAs island nanostructures on GaAs substrates
由: Sysoev, I. A., и др.
出版: (2019)

Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition
由: Pashchenko, A. S., и др.
出版: (2023)

Pulsed laser deposition of AlxGa1–xAs and GaP thin films onto Si substrates for photoelectric converters
由: Devitsky, O. V., и др.
出版: (2018)

The Study of GaInAsP/InP Heterostructures with an Array of InAs Nanoislands
由: Lunin, L. S., и др.
出版: (2022)

Study of the composition of GaAs1-yBiy films obtained by pulsed laser deposition
由: Devitsky, O. V., и др.
出版: (2022)

STRUCTURE AND COMPOSITION OF THIN GaAs1-x-yNxBiy FILMS PRODUCED BY PULSED LASER DEPOSITION
由: Devitsky, O. V., и др.
出版: (2023)

Influence of magnetron sputtering conditions on the structure and surface morphology of InxGa1–xAs thin films on a GaAs (100) substrate
由: Devitsky, O. V., и др.
出版: (2023)

Peculiarities of pulsed laser deposition of thin InGaAsN films in an active background gas atmosphere
由: Devitsky, O. V., и др.
出版: (2023)

Peculiarities of growing Ga1–xInxAs solid solutions on GaAs substrates in the field of a temperature gradient through a thin gas zone
由: Devitsky, O. V., и др.
出版: (2023)

Pulsed laser deposition of gallium nitride thin films on sapphire substrates
由: Devitsky, O. V., и др.
出版: (2021)

Pulsed laser deposition of aluminum nitride thin films onto sapphire substrates
由: Devitsky, O. V., и др.
出版: (2020)

Calculation of the temperature behavior features of electrical conductivity in GeTe, SnTe and A(x-1) B(x) C semiconductors - Solutions of Tc near-structural phase transition
由: Sankin, A. V., и др.
出版: (2021)

Effect of nitrogen pressure on the composition and structure of thin films GaAs1 - x - yNxBiy
由: Devitsky, O. V., и др.
出版: (2024)

EFFECT OF BISMUTH CONTENT ON THE STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF GaAs1-yBiy: FIRST PRINCIPLES CALCULATIONS
由: Devitsky, O. V., и др.
出版: (2024)

Domino reactions of 1-substituted N-(cyanomethyl)isoquinolinium salts with salicylic aldehydes
由: Aksenov, A. V., и др.
出版: (2018)

Effect of the Ag nanoparticle concentration in TiO2–Ag functional coatings on the characteristics of GaInP/GaAs/Ge photoconverters
由: Kravtsov, A. A., и др.
出版: (2018)

Influence of argon pressure on the surface morphology of thin InGaAsP/Si films
由: Devitsky, O. V., и др.
出版: (2022)

Thin SiС and gan-based films and structures: production and properties
由: Sankin, A. V., и др.
出版: (2022)

THE GROWTH OF INALN/ SI HETEROSTRUCTURES WITH A HIGH CONTENT OF IN
由: Lapin, V. A., и др.
出版: (2023)

Calculation and analysis of the features temperature behavior of the electrical conductivity semiconductors GeTe and SnTe near structural phase transition TC
由: Sankin, A. V., и др.
出版: (2020)

The effect of the transformation of point defects under Joule heating on efficiency of LEDs with InGaN/GaN quantum wells
由: Tarala, V. A., и др.
出版: (2018)

Synthesis of selenium nanoparticles stabilized by quaternary ammonium compounds
由: Blinov, A. V., и др.
出版: (2022)

Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
由: Тихов С. В.
出版: (2010)

Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
由: Дорохин М. В.
出版: (2013)

Исследование полосы преобразования терагерцовых смесителей на эффекте электронного разогрева в NbZr, NbN и в одиночном гетеропереходе AlGaAs/GaAs монография
由: Смирнов, А. В.

Growing c-axis oriented aluminum nitride films by plasma-enhanced atomic layer deposition at low temperatures
由: Tarala, V. A., и др.
出版: (2018)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
由: Тяжлов В. С.
出版: (2019)

Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
由: Тяжлов, В. С.

PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property
由: Sysoev, I. A., и др.
出版: (2022)

COMPUTER QUANTUM-CHEMICAL MODELING OF THE INTERACTION OF SELENIUM NANOPARTICLES WITH QUATERNARY AMMONIUM COMPOUNDS
由: Blinov, A. V., и др.
出版: (2024)

Resonant-frequency properties of low-dimensional junction of semiconductor-metal-semiconductor and calculation methodology
由: Valyukhov, D. P., и др.
出版: (2020)

Extreme environment wideband, high-efficiency photovoltaics based on new physical principles and hyperfast LPE GaAs power electronics
由: Saytiev, A. B., и др.
出版: (2019)

Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами Статья
由: Крылов П.Н

Разработка технологии получения наноразмерного ZnO легированного Ga
由: Жалыбина, Е. Г.
出版: (2019)

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
出版: (2001)

Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе Монография
由: Чулкова Г.М

Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs-GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN и детекторы субмиллиметрового и ИК излучения на их основе монография

Ion-beam deposition of thin AlN films on Al2O3 substrate
由: Devitsky, O. V., и др.
出版: (2020)

Influence of indium concentration on the structure and surface morphology of InGaAs films obtained by liquid-phase epitaxy
由: Mitrofanov, D. V., и др.
出版: (2022)