Пропуск в контексте
The Study of GaInAsP/InP Heterostructures with an Array of InAs Nanoislands

The Study of GaInAsP/InP Heterostructures with an Array of InAs Nanoislands

It is shown experimentally that arrays of InAs nanoislands could be grown on the surface of GaInAsP solid solutions, isoperiodic to the InP substrate, by temperature-gradient zone recrystallization with pulse cooling and heating. The evolution of the morphology of InAs nanoislands on the surface of...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
Главные авторы: Lunin, L. S., Лунин, Л. С., Pashchenko, A. S., Пащенко, А. С.
פורמט: Статья
שפה:English
יצא לאור: Pleiades journals 2022
נושאים:
3D growth
InAs nanoislands
Morphology
Multicomponent solid solutions
Photoluminescence
Pulse cooling–heating
Semiconductors
Stranski-Krastanov mechanism
Surface
Zone recrystallization
גישה מקוונת:https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/18570
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

אינטרנט

https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/18570

פריטים דומים