Անցեք բովանդակությանը
The Study of GaInAsP/InP Heterostructures with an Array of InAs Nanoislands

The Study of GaInAsP/InP Heterostructures with an Array of InAs Nanoislands

It is shown experimentally that arrays of InAs nanoislands could be grown on the surface of GaInAsP solid solutions, isoperiodic to the InP substrate, by temperature-gradient zone recrystallization with pulse cooling and heating. The evolution of the morphology of InAs nanoislands on the surface of...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Lunin, L. S., Лунин, Л. С., Pashchenko, A. S., Пащенко, А. С.
Ձևաչափ: Статья
Լեզու:English
Հրապարակվել է: Pleiades journals 2022
Խորագրեր:
3D growth
InAs nanoislands
Morphology
Multicomponent solid solutions
Photoluminescence
Pulse cooling–heating
Semiconductors
Stranski-Krastanov mechanism
Surface
Zone recrystallization
Առցանց հասանելիություն:https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/18570
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Համացանց

https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/18570

Նմանատիպ նյութեր