تخطي إلى المحتوى
Study of the composition of GaAs1-yBiy films obtained by pulsed laser deposition

Study of the composition of GaAs1-yBiy films obtained by pulsed laser deposition

Uniaxial cold pressing was used to fabricate the GaAs1-yBiy targets with the Bi content of 1 and 22 %. From the obtained targets, pulsed laser deposition of GaAs1-yBiy thin films on the GaAs and Si substrates was carried out for the first time. We studied the composition, Raman and PL spectra of thi...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Devitsky, O. V., Девицкий, О. В., Kravtsov, A. A., Кравцов, А. А., Sysoev, I. A., Сысоев, И. А.
التنسيق: Статья
اللغة:English
منشور في: TVER STATE UNIV 2022
الموضوعات:
GaAs1-yBiy
Thin films
Pulsed laser deposition
Raman light scattering
Photoluminescence
الوصول للمادة أونلاين:https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/19149
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

الانترنت

https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/19149

مواد مشابهة