Study of the composition of GaAs1-yBiy films obtained by pulsed laser deposition
Uniaxial cold pressing was used to fabricate the GaAs1-yBiy targets with the Bi content of 1 and 22 %. From the obtained targets, pulsed laser deposition of GaAs1-yBiy thin films on the GaAs and Si substrates was carried out for the first time. We studied the composition, Raman and PL spectra of thi...
שמור ב:
| Главные авторы: | , , , , , |
|---|---|
| פורמט: | Статья |
| שפה: | English |
| יצא לאור: |
TVER STATE UNIV
2022
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/19149 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|