Study of the composition of GaAs1-yBiy films obtained by pulsed laser deposition
Uniaxial cold pressing was used to fabricate the GaAs1-yBiy targets with the Bi content of 1 and 22 %. From the obtained targets, pulsed laser deposition of GaAs1-yBiy thin films on the GaAs and Si substrates was carried out for the first time. We studied the composition, Raman and PL spectra of thi...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Статья |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
TVER STATE UNIV
2022
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/19149 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|