Thin SiС and gan-based films and structures: production and properties
The article describes the methods for producing thin films and structures based on SiC, GaN and their SiC – AlN and Al – GaN solid solutions, as well as mathematical models of film growth and properties-behavior of the I–V characteristics of heterostructures. Two models were developed for producing...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| التنسيق: | Статья |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
Trans Tech Publications Ltd
2022
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/19425 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|