Thin SiС and gan-based films and structures: production and properties
The article describes the methods for producing thin films and structures based on SiC, GaN and their SiC – AlN and Al – GaN solid solutions, as well as mathematical models of film growth and properties-behavior of the I–V characteristics of heterostructures. Two models were developed for producing...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Статья |
| ভাষা: | English |
| প্রকাশিত: |
Trans Tech Publications Ltd
2022
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/19425 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|