Thin SiС and gan-based films and structures: production and properties
The article describes the methods for producing thin films and structures based on SiC, GaN and their SiC – AlN and Al – GaN solid solutions, as well as mathematical models of film growth and properties-behavior of the I–V characteristics of heterostructures. Two models were developed for producing...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , , , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Статья |
| Լեզու: | English |
| Հրապարակվել է: |
Trans Tech Publications Ltd
2022
|
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/19425 |
| Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|