Thin SiС and gan-based films and structures: production and properties
The article describes the methods for producing thin films and structures based on SiC, GaN and their SiC – AlN and Al – GaN solid solutions, as well as mathematical models of film growth and properties-behavior of the I–V characteristics of heterostructures. Two models were developed for producing...
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Статья |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
Trans Tech Publications Ltd
2022
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/19425 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|