تخطي إلى المحتوى
PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property

PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property

Nanowires of III - V solid solutions hold promise for use in optoelectronics and photovoltaics, for example, as functional coatings for solar cells. InGaAsP nanowires were grown on GaAs and Si substrates by pulsed laser deposition. The dependences of the orientation of nanowires on the substrate tem...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Sysoev, I. A., Сысоев, И. А., Kononov, Y. G., Кононов, Ю. Г., Zakharov, A. A., Захаров, А. А., Mitrofanov, D. V., Митрофанов, Д. В.
التنسيق: Статья
اللغة:English
منشور في: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 2022
الموضوعات:
AFM
Raman spectroscopy
III - V compounds
Nanowires
Pulsed laser deposition
الوصول للمادة أونلاين:https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/19592
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

الانترنت

https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/19592

مواد مشابهة