Siirry sisältöön

PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property

Nanowires of III - V solid solutions hold promise for use in optoelectronics and photovoltaics, for example, as functional coatings for solar cells. InGaAsP nanowires were grown on GaAs and Si substrates by pulsed laser deposition. The dependences of the orientation of nanowires on the substrate tem...

Täydet tiedot

Tallennettuna:
Bibliografiset tiedot
Päätekijät: Sysoev, I. A., Сысоев, И. А., Kononov, Y. G., Кононов, Ю. Г., Zakharov, A. A., Захаров, А. А., Mitrofanov, D. V., Митрофанов, Д. В.
Aineistotyyppi: Статья
Kieli:English
Julkaistu: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 2022
Aiheet:
Linkit:https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/19592
Tagit: Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!