PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property

Nanowires of III - V solid solutions hold promise for use in optoelectronics and photovoltaics, for example, as functional coatings for solar cells. InGaAsP nanowires were grown on GaAs and Si substrates by pulsed laser deposition. The dependences of the orientation of nanowires on the substrate tem...

תיאור מלא

שמור ב:

מידע ביבליוגרפי
Главные авторы:	Sysoev, I. A., Сысоев, И. А., Kononov, Y. G., Кононов, Ю. Г., Zakharov, A. A., Захаров, А. А., Mitrofanov, D. V., Митрофанов, Д. В.
פורמט:	Статья
שפה:	English
יצא לאור:	Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 2022
נושאים:	AFM Raman spectroscopy III - V compounds Nanowires Pulsed laser deposition
גישה מקוונת:	https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/19592
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

אינטרנט

https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/19592

PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property

אינטרנט

פריטים דומים