PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property

Nanowires of III - V solid solutions hold promise for use in optoelectronics and photovoltaics, for example, as functional coatings for solar cells. InGaAsP nanowires were grown on GaAs and Si substrates by pulsed laser deposition. The dependences of the orientation of nanowires on the substrate tem...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ:	Sysoev, I. A., Сысоев, И. А., Kononov, Y. G., Кононов, Ю. Г., Zakharov, A. A., Захаров, А. А., Mitrofanov, D. V., Митрофанов, Д. В.
Ձևաչափ:	Статья
Լեզու:	English
Հրապարակվել է:	Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 2022
Խորագրեր:	AFM Raman spectroscopy III - V compounds Nanowires Pulsed laser deposition
Առցանց հասանելիություն:	https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/19592
Ցուցիչներ:	Ավելացրեք ցուցիչ Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Համացանց

https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/19592

PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property

Համացանց

Նմանատիպ նյութեր