Przejdź do treści

PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property

Nanowires of III - V solid solutions hold promise for use in optoelectronics and photovoltaics, for example, as functional coatings for solar cells. InGaAsP nanowires were grown on GaAs and Si substrates by pulsed laser deposition. The dependences of the orientation of nanowires on the substrate tem...

Szczegółowa specyfikacja

Zapisane w:
Opis bibliograficzny
Główni autorzy: Sysoev, I. A., Сысоев, И. А., Kononov, Y. G., Кононов, Ю. Г., Zakharov, A. A., Захаров, А. А., Mitrofanov, D. V., Митрофанов, Д. В.
Format: Статья
Język:English
Wydane: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 2022
Hasła przedmiotowe:
Dostęp online:https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/19592
Etykiety: Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!