Пропуск в контексте

PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property

Nanowires of III - V solid solutions hold promise for use in optoelectronics and photovoltaics, for example, as functional coatings for solar cells. InGaAsP nanowires were grown on GaAs and Si substrates by pulsed laser deposition. The dependences of the orientation of nanowires on the substrate tem...

Полное описание

Сохранить в:
Библиографические подробности
Главные авторы: Sysoev, I. A., Сысоев, И. А., Kononov, Y. G., Кононов, Ю. Г., Zakharov, A. A., Захаров, А. А., Mitrofanov, D. V., Митрофанов, Д. В.
Формат: Статья
Язык:English
Опубликовано: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 2022
Темы:
Online-ссылка:https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/19592
Метки: Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!