PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property
Nanowires of III - V solid solutions hold promise for use in optoelectronics and photovoltaics, for example, as functional coatings for solar cells. InGaAsP nanowires were grown on GaAs and Si substrates by pulsed laser deposition. The dependences of the orientation of nanowires on the substrate tem...
Сохранить в:
Главные авторы: | , , , , , , , |
---|---|
Формат: | Статья |
Язык: | English |
Опубликовано: |
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
2022
|
Темы: | |
Online-ссылка: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/19592 |
Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|