Перейти до змісту

PLD growth of InGaAsP nanowires: morphology surface and structural property

Nanowires of III - V solid solutions hold promise for use in optoelectronics and photovoltaics, for example, as functional coatings for solar cells. InGaAsP nanowires were grown on GaAs and Si substrates by pulsed laser deposition. The dependences of the orientation of nanowires on the substrate tem...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Автори: Sysoev, I. A., Сысоев, И. А., Kononov, Y. G., Кононов, Ю. Г., Zakharov, A. A., Захаров, А. А., Mitrofanov, D. V., Митрофанов, Д. В.
Формат: Статья
Мова:English
Опубліковано: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 2022
Предмети:
Онлайн доступ:https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/19592
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!