Influence of argon pressure on the surface morphology of thin InGaAsP/Si films
The thin films of InGaAsP/Si were obtained by pulsed laser deposition at different argon pressures. The InGaAsP/Si films obtained at an argon pressure of 10 Pa have the highest roughness, and the smallest are films obtained in a vacuum. In PLD in argon, atoms are scattered on the substrate at differ...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , |
|---|---|
| التنسيق: | Статья |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
American Institute of Physics Inc.
2022
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/21198 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|