Անցեք բովանդակությանը
Influence of magnetron sputtering conditions on the structure and surface morphology of InxGa1–xAs thin films on a GaAs (100) substrate

Influence of magnetron sputtering conditions on the structure and surface morphology of InxGa1–xAs thin films on a GaAs (100) substrate

We present the results of the study of the structure and surface morphology of In x Ga1–x As thin films on a GaAs substrate. Thin films were obtained by magnetron sputtering from a specially formed In 0.45 Ga 0.55 As target in an argon atmosphere. The obtained samples of thin films were studied by...

Ամբողջական նկարագրություն

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Devitsky, O. V., Девицкий, О. В., Zakharov, A. A., Захаров, А. А., Lunin, L. S., Лунин, Л. С., Sysoev, I. A., Сысоев, И. А., Pashchenko, A. S., Пащенко, А. С., Vakalov, D. S., Вакалов, Д. С., Chapura, O. M., Чапура, О. М.
Ձևաչափ: Статья
Լեզու:Russian
Հրապարակվել է: 2023
Խորագրեր:
Magnetron sputtering
A 3 B 5 compounds
Thin films
Surface morphology
Raman scattering
Առցանց հասանելիություն:https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/22295
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Համացանց

https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/22295

Նմանատիպ նյութեր