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Peculiarities of pulsed laser deposition of thin InGaAsN films in an active background gas atmosphere

III-V-N compounds are a promising class of solid solutions that have the prospect of being used in optoelectronic devices operating in a wide spectral range up to 3 μm, as well as for increasing the efficiency of photodetectors, lasers in fiber-optic communication lines and telecommunication systems...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Devitsky, O. V., Девицкий, О. В.
Format: Статья
Sprache:English
Veröffentlicht: 2023
Schlagworte:
Online Zugang:https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/22307
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