Peculiarities of pulsed laser deposition of thin InGaAsN films in an active background gas atmosphere
III-V-N compounds are a promising class of solid solutions that have the prospect of being used in optoelectronic devices operating in a wide spectral range up to 3 μm, as well as for increasing the efficiency of photodetectors, lasers in fiber-optic communication lines and telecommunication systems...
Պահպանված է:
| Հիմնական հեղինակներ: | , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Статья |
| Լեզու: | English |
| Հրապարակվել է: |
2023
|
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/22307 |
| Ցուցիչներ: |
Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!
|