THE GROWTH OF INALN/ SI HETEROSTRUCTURES WITH A HIGH CONTENT OF IN
InAlN films on Si (111) were obtained by the ion-beam deposition with various technological growth parameters. The results of the study of grown films by the scanning electron microscopy were used to identify the conditions for obtaining InAlN continuous films. Due to the mismatch of the lattice par...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Статья |
| ভাষা: | Russian |
| প্রকাশিত: |
2023
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/23455 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|