STRUCTURE AND COMPOSITION OF THIN GaAs1-x-yNxBiy FILMS PRODUCED BY PULSED LASER DEPOSITION
Uniaxial cold pressing was used to fabricate GaAs0,9Bi0,1 targets with 10% Bi content. Thin films of GaAs1-x-yNxBiy onto a GaAs (100) substrate were obtained from the formed GaAs0,9Bi0,1 target by pulsed laser deposition in an argon-nitrogen gas atmosphere, and their structure and composition were s...
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , |
|---|---|
| বিন্যাস: | Статья |
| ভাষা: | Russian |
| প্রকাশিত: |
2023
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/23459 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
