STRUCTURE AND COMPOSITION OF THIN GaAs1-x-yNxBiy FILMS PRODUCED BY PULSED LASER DEPOSITION
Uniaxial cold pressing was used to fabricate GaAs0,9Bi0,1 targets with 10% Bi content. Thin films of GaAs1-x-yNxBiy onto a GaAs (100) substrate were obtained from the formed GaAs0,9Bi0,1 target by pulsed laser deposition in an argon-nitrogen gas atmosphere, and their structure and composition were s...
שמור ב:
Главные авторы: | Devitsky, O. V., Девицкий, О. В. |
---|---|
פורמט: | Статья |
שפה: | Russian |
יצא לאור: |
2023
|
נושאים: | |
גישה מקוונת: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/23459 |
תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
פריטים דומים
-
Effect of nitrogen pressure on the composition and structure of thin films GaAs1 - x - yNxBiy
מאת: Devitsky, O. V., и др.
יצא לאור: (2024) -
Study of the composition of GaAs1-yBiy films obtained by pulsed laser deposition
מאת: Devitsky, O. V., и др.
יצא לאור: (2022) -
EFFECT OF BISMUTH CONTENT ON THE STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF GaAs1-yBiy: FIRST PRINCIPLES CALCULATIONS
מאת: Devitsky, O. V., и др.
יצא לאור: (2024) -
Peculiarities of pulsed laser deposition of thin InGaAsN films in an active background gas atmosphere
מאת: Devitsky, O. V., и др.
יצא לאור: (2023) -
Extreme environment wideband, high-efficiency photovoltaics based on new physical principles and hyperfast LPE GaAs power electronics
מאת: Saytiev, A. B., и др.
יצא לאור: (2019)