STRUCTURE AND COMPOSITION OF THIN GaAs1-x-yNxBiy FILMS PRODUCED BY PULSED LASER DEPOSITION
Uniaxial cold pressing was used to fabricate GaAs0,9Bi0,1 targets with 10% Bi content. Thin films of GaAs1-x-yNxBiy onto a GaAs (100) substrate were obtained from the formed GaAs0,9Bi0,1 target by pulsed laser deposition in an argon-nitrogen gas atmosphere, and their structure and composition were s...
Збережено в:
Автори: | Devitsky, O. V., Девицкий, О. В. |
---|---|
Формат: | Статья |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
2023
|
Предмети: | |
Онлайн доступ: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/23459 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Схожі ресурси
-
Effect of nitrogen pressure on the composition and structure of thin films GaAs1 - x - yNxBiy
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2024) -
Study of the composition of GaAs1-yBiy films obtained by pulsed laser deposition
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2022) -
EFFECT OF BISMUTH CONTENT ON THE STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF GaAs1-yBiy: FIRST PRINCIPLES CALCULATIONS
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2024) -
Peculiarities of pulsed laser deposition of thin InGaAsN films in an active background gas atmosphere
за авторством: Devitsky, O. V., та інші
Опубліковано: (2023) -
Extreme environment wideband, high-efficiency photovoltaics based on new physical principles and hyperfast LPE GaAs power electronics
за авторством: Saytiev, A. B., та інші
Опубліковано: (2019)