STRUCTURE AND COMPOSITION OF THIN GaAs1-x-yNxBiy FILMS PRODUCED BY PULSED LASER DEPOSITION
Uniaxial cold pressing was used to fabricate GaAs0,9Bi0,1 targets with 10% Bi content. Thin films of GaAs1-x-yNxBiy onto a GaAs (100) substrate were obtained from the formed GaAs0,9Bi0,1 target by pulsed laser deposition in an argon-nitrogen gas atmosphere, and their structure and composition were s...
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Devitsky, O. V., Девицкий, О. В. |
---|---|
Định dạng: | Статья |
Ngôn ngữ: | Russian |
Được phát hành: |
2023
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | https://dspace.ncfu.ru/handle/20.500.12258/23459 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Những quyển sách tương tự
-
Effect of nitrogen pressure on the composition and structure of thin films GaAs1 - x - yNxBiy
Bằng: Devitsky, O. V., et al.
Được phát hành: (2024) -
Study of the composition of GaAs1-yBiy films obtained by pulsed laser deposition
Bằng: Devitsky, O. V., et al.
Được phát hành: (2022) -
EFFECT OF BISMUTH CONTENT ON THE STRUCTURAL AND ELECTRONIC PROPERTIES OF GaAs1-yBiy: FIRST PRINCIPLES CALCULATIONS
Bằng: Devitsky, O. V., et al.
Được phát hành: (2024) -
Peculiarities of pulsed laser deposition of thin InGaAsN films in an active background gas atmosphere
Bằng: Devitsky, O. V., et al.
Được phát hành: (2023) -
Extreme environment wideband, high-efficiency photovoltaics based on new physical principles and hyperfast LPE GaAs power electronics
Bằng: Saytiev, A. B., et al.
Được phát hành: (2019)